三菱電機株式會社將于3月31日發售內置退飽和電壓檢測功能的HVIC※1“M81748FP”,，其耐壓可達到業界最高的1200 V水平。該產品可用于驅動歐洲等地區的AC 400 V電源逆變器系統中的IGBT等功率半導體器件。

　　※1　High Voltage Integrated Circuit：內置功率半導體器件驅動功能的高壓集成電路。

　　內置退飽和電壓檢測功能的1200V HVIC　“M81748FP”

　　新產品的特點

　　1.內置退飽和電壓檢測功能，有助于降低功率半導體的功耗

　　搭載1200V高耐壓P溝道MOSFET※2，在P-側和N-側均內置DESAT(退飽和)檢測功能，以防止功率半導體的熱破壞

　　直接檢測P-側的功率半導體短路或接地故障，將故障信號傳遞至N-側并關閉系統

　　與分流電阻※3方式短路保護相比，更適用于150A以上額定電流的功率半導體器件，有助于降低其功耗

　　※2　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

　　※3　檢測短路電流的電阻

　　2.適用于AC400V系電源的逆變器系統，達到1200V高耐壓

　　1200V耐壓分散式RESURF構造※4，將漏電流※5抑制在10μA以下

　　芯片表面采用PolyRFP※6結構，具備穩定的高耐壓特性

　　※4　Reduced surface field：通過優化芯片表面構造，抑制半導體pn接合部的電場集中

　　※5　流經半導體電氣絕緣接合部位的微弱電流

　　※6　Polycrystalline silicon resistor field plate：

　　在包圍高電壓電路部的耐壓環表面采用多晶硅電阻，使得電場分布具有均勻化的構造

　　3.高抗噪性，有助于提高逆變器系統的可靠性

　　采用可抑制開關時的閉鎖故障※7的埋入層※8，具備高抗噪性，有助于提高系統的可靠性

　　※7　由于在同一芯片上搭載多個元件，抑制噪音等相互影響而發生故障的現象

　　※8　元件下層是低電阻擴散層，可降低元件之間的阻抗，抑制噪聲帶來的影響

　　發售概要

　　銷售目標

　　隨著節能、高性能家電及工業設備上使用的電機驅動逆變器的不斷發展，對逆變器系統用功率半導體的驅動芯片的需求也在不斷擴大。

　　由于歐洲等地區使用AC400V逆變器系統，市場要求提供適用該高電壓的高質量1200V耐壓HVIC。

　　本公司此次將發售的高質量1200V HVIC內置了1200V高耐壓P溝道MOSFET，具備DESAT檢測功能，提高了抗噪性。

　　防止IGBT等功率半導體熱破壞的DESAT檢測功能與分流電阻方式短路保護相比，更適用150 A級以上額定電流的功率半導體，并且提供P-側的接地保護。

　　該產品可提高AC400V逆變器系統的可靠性及減少功率半導體的功耗。

　　主要規格

　　環保考慮

　　符合RoHS※9 指令(2011/65/EU)。

　　※9　Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

　　制作工廠

　　三菱電機株式會社　功率器件制作所

　　〒819-0192　福岡縣福岡市西區今宿東一丁目1番1號

　　銷售公司

　　三菱電機機電(上海)有限公司

　　上海市長寧區興義路8號上海萬都中心29樓 郵編： 200336

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